Como dijimos en la página de lógica del diodo, el problema básico con las puertas del DL es que deterioran rápidamente la señal lógica. Sin embargo, trabajan para una etapa a la vez, si la señal re-se amplifica entre las puertas. La lógica del Diodo-Transistor (DTL) logra esa meta.
La puerta a la parte superior es un DL o puerta seguida por un inversor tal como se vio en la página en lógica del resistor-transistor. La función OR todavía es realizado por los diodos. Sin embargo, sin importar el número de las entradas de la lógica 1, es seguramente bastante voltaje de entrada para conducir el transistor a la saturación. Solamente si todas las entradas están en 0 lógico entonces el transistor permanecerá apagado. La ventaja de este circuito sobre su equivalente de RTL es que la OR lógica es realizada por los diodos, al lado de los resistores. Por lo tanto no hay interacción entre diversas entradas, y cualquier número de diodos puede ser utilizado. Una desventaja de este circuito es el resistor de entrada al transistor. Su presencia tiende para retardar el circuito el estado bajo, limitando así la velocidad a la cual el transistor puede cambiar estados.
En el primer vistazo, la versión del NAND demostrada arriba debe eliminar este problema. ¿Cualquier 0 lógico de entrada tirará hacia abajo inmediatamente la base del transistor y cambiará al transistor al estado de apagado? Bien, no absolutamente. ¿Recuerda ese voltaje de entrada de la base de 0,65 voltios para el transistor? Los diodos exhiben un voltaje de polarización directa muy similar cuando están conduciendo la corriente. Por lo tanto, uniforme con todas las entradas en la tierra, la base del transistor estará en cerca de 0,65 voltios, y el transistor puede conducir.
Para solucionar este problema, podemos agregar un diodo en serie con la base del transistor, según lo demostrado arriba. Ahora el voltaje de polarización directa que se necesitó para polarizar al transistor directamente es 1,3 voltios. Para aún más seguro, podríamos agregar un segundo diodo de la serie y requerir 1,95 voltios para hacer conducir el transistor. De esta manera podemos también estar seguros que los cambios de temperatura no afectarán perceptiblemente la operación del circuito. Cualquier manera, este circuito trabajará como compuerta del NAND. Además, podemos utilizar tantos diodos en la entrada como podemos desear sin levantar el umbral del voltaje. Además, sin el resistor en serie en el circuito de entrada, hay menos efecto de retardado, así que la puerta puede cambiar estados más rápidamente y manejar frecuencias más altas.
La puerta a la parte superior es un DL o puerta seguida por un inversor tal como se vio en la página en lógica del resistor-transistor. La función OR todavía es realizado por los diodos. Sin embargo, sin importar el número de las entradas de la lógica 1, es seguramente bastante voltaje de entrada para conducir el transistor a la saturación. Solamente si todas las entradas están en 0 lógico entonces el transistor permanecerá apagado. La ventaja de este circuito sobre su equivalente de RTL es que la OR lógica es realizada por los diodos, al lado de los resistores. Por lo tanto no hay interacción entre diversas entradas, y cualquier número de diodos puede ser utilizado. Una desventaja de este circuito es el resistor de entrada al transistor. Su presencia tiende para retardar el circuito el estado bajo, limitando así la velocidad a la cual el transistor puede cambiar estados.
En el primer vistazo, la versión del NAND demostrada arriba debe eliminar este problema. ¿Cualquier 0 lógico de entrada tirará hacia abajo inmediatamente la base del transistor y cambiará al transistor al estado de apagado? Bien, no absolutamente. ¿Recuerda ese voltaje de entrada de la base de 0,65 voltios para el transistor? Los diodos exhiben un voltaje de polarización directa muy similar cuando están conduciendo la corriente. Por lo tanto, uniforme con todas las entradas en la tierra, la base del transistor estará en cerca de 0,65 voltios, y el transistor puede conducir.
Para solucionar este problema, podemos agregar un diodo en serie con la base del transistor, según lo demostrado arriba. Ahora el voltaje de polarización directa que se necesitó para polarizar al transistor directamente es 1,3 voltios. Para aún más seguro, podríamos agregar un segundo diodo de la serie y requerir 1,95 voltios para hacer conducir el transistor. De esta manera podemos también estar seguros que los cambios de temperatura no afectarán perceptiblemente la operación del circuito. Cualquier manera, este circuito trabajará como compuerta del NAND. Además, podemos utilizar tantos diodos en la entrada como podemos desear sin levantar el umbral del voltaje. Además, sin el resistor en serie en el circuito de entrada, hay menos efecto de retardado, así que la puerta puede cambiar estados más rápidamente y manejar frecuencias más altas.
No hay comentarios.:
Publicar un comentario